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MOSFET IXYS canal N, TO-264 26 A 1200 V, 3 broches


Quantité:  Boîte  
Informations sur les produits
Product Image
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N° du produit:
     1295E-9200877
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFK26N120P
EAN/GTIN:
     5059041036856
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistors de puissance
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™. Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Plus d'informations:
Type de canal:
N
Courant continu de Drain maximum:
26 A
Tension Drain Source maximum:
1200 V
Type de boîtier:
TO-264
Série:
HiperFET, Polar
Type de montage:
Traversant
Nombre de broches:
3
Résistance Drain Source maximum:
460 mΩ
Mode de canal:
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille:
6.5V
Dissipation de puissance maximum:
960 W
Configuration du transistor:
Simple
Tension Grille Source maximum:
-30 V, +30 V
Longueur:
19.96mm
Température d'utilisation maximum:
+150 °C
Autres mots de recherche: 9200877, Semi-conducteurs, Composants discrets, Transistors MOSFET, IXYS, IXFK26N120P
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par Boîte
à partir de 2 Boîtes
€ 943,185*
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par Boîte
à partir de 5 Boîtes
€ 919,745*
€ 1 103,694
par Boîte
à partir de 10 Boîtes
€ 899,885*
€ 1 079,862
par Boîte
à partir de 500 Boîtes
€ 869,855*
€ 1 043,826
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