IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P TRANSISTOR MOSFET N TO-3P

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.027 ohm Gamme de produit - MSL - Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 100 A Type de boîtier de transistor TO-3P Tension Vds max.. 250 V Dissipation de puissance 600 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5 V SVHC No SVHC (17-Jan-2023)