IXYS SEMICONDUCTOR IXFB30N120P MOSFET,CANAL N, 1,2KV, 30A, PLUS264

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.35 ohm Gamme de produit Polar HiPerFET Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 30 A Type de boîtier de transistor PLUS264 Tension Vds max.. 1.2 kV Dissipation de puissance 1.25 kW Qualification - Tension de seuil Vgs Max 6.5 V SVHC No SVHC (12-Jan-2017)