IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N85X MOSFET,CANAL N, 850V, 50A, TO-247

Tension de test Rds(on) 10 V Résistance Drain-Source à l'état-ON 0.105 ohm Gamme de produit X-Class HiperFET Nombre de broches 3 Broche(s) Montage transistor Traversant Type de canal Canal N Température de fonctionnement max.. 150 °C Courant de drain Id 50 A Type de boîtier de transistor TO-247 Tension Vds max.. 850 V Dissipation de puissance 890 W Qualification - Tension de seuil Vgs Max 5.5 V SVHC No SVHC (12-Jan-2017)