NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discrêt PHE13009,127 TO-220AB 1 NPN

Transistor (BJT) - Discrêt

NXP Semiconductors PHE13009,127
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Conditionnement: 1 pc(s)

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Données techniques :
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 100 µA · Courant du collecteur CI : 12 A · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : NXP Semiconductors · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 8 · Ic : 5 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 80 W · Sigle du fabricant (composants) : NXP · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 400 V · Type (type fabricant) : PHE13009,127 · Type de FET : NPN · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 5 V · Vce Saturation (max.) : 2 V