ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discrêt 2N6284 TO-3 1 NPN - Darlington

Transistor (BJT) - Discrêt

ON Semiconductor 2N6284
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Données techniques :
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 1 mA · Courant du collecteur CI : 20 A · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : ON Semiconductor · Gain à courant c.c. (hFE) (min.) : 750 · Ic : 10 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 160 W · Sigle du fabricant (composants) : OnS · Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) : 100 V · Type (type fabricant) : 2N6284 · Type de FET : NPN - Darlington · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-3 · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor (BJT) - Discrêt · Vce : 3 V · Vce Saturation (max.) : 3 V