IXYS IXFN100N50P MOSFET 1 Canal N 1040 W SOT-227B

MOSFET

IXYS IXFN100N50P
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-227B
Conditionnement: 1 pc(s)

. IXYS IXFN100N50P. . . .

Données techniques :
C(ISS) : 20000 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction FET : Standard · I(d) : 90 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 1040 W · Q(G) : 240 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 49 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 50 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : IXY · Série (semiconducteur) : PolarHV™ · Température de fonctionnement (max.) (num) : +150 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 500 V · Type (type fabricant) : IXFN100N50P · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-227B · Type de montage : boîtier · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 500 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 8 mA · U(GS)(th) max. : 5 V