IXYS IXFP180N10T2 MOSFET 1 Canal N 480 W TO-220AB

MOSFET

IXYS IXFP180N10T2
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 10500 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : IXYS · Fonction FET : Standard · I(d) : 180 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 480 W · Q(G) : 185 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 6 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 50 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : IXY · Série (semiconducteur) : GigaMOS™,HiPerFET™,TrenchT2™ · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 100 V · Type (type fabricant) : IXFP180N10T2 · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220AB · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 100 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 4 V