IXYS IXGN200N60B3 Module IGBT SOT-227B Simple Standard 600 V

Transistor - IGBT - Module

IXYS IXGN200N60B3

Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
Capacité d’entrée : 26 nF · Configuration : Simple · Courant - Impulsion collecteur (Icm) : 1200 A · Courant - Résiduel collecteur-base (max.) : 50 µA · Courant du collecteur CI : 300 A · Fabricant : IXYS · Puissance maxi : 830 W · Q(G) : 750 C · Sigle du fabricant (composants) : IXY · Série (semiconducteur) : GenX3 · Td (off) à 25°C : 450 ns · Td (on) à 25°C : 44 ns · Tension : 600 V · Type (type fabricant) : IXGN200N60B3 · Type d'entrée : Standard · Type de FET : PT · Type de boîtier (semi-conducteur) : SOT-227B · Type de montage : boîtier · Type de transistor (Catégorisation) : Transistor - IGBT - Module · Vce Saturation (max.) : 1.5 V

Remarque :
Le contenu de la livraison peut être légèrement différent de la fiche technique du constructeur, étant donné qu'il n'y a pas de vis de raccord, puisque leur longueur dépend de chaque application. Veuillez commander séparément les vis aux longueurs adaptées avec rondelle-ressort et rondelle.