Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220

MOSFET

Infineon Technologies IRF1010E
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 3210 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 84 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 200 W · Q(G) : 130 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 12 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 50 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 60 V · Type (type fabricant) : IRF1010E · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-220 · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 60 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 4 V