Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-263-3

MOSFET

Infineon Technologies IRF5305
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-263-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 1200 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Disponible en logiciel PCB : Target 3001! · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 31 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 3.8 W · Q(G) : 63 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 60 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 16 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 55 V · Type (type fabricant) : IRF5305 · Type de FET : Canal P · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-263-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 55 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 4 V