Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 Canal P 3.8 W TO-220

MOSFET

Infineon Technologies IRF9Z34N
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-263-3
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 620 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Standard · I(d) : 19 A · Nombre de canaux : 1 · Puissance (max) P(TOT) : 3.8 W · Q(G) : 35 C · Q(G) Tension de référence : 10 V · R(DS)(on) : 100 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 10 A · R(DS)(on) Tension de référence : 10 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Série (semiconducteur) : HEXFET® · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 55 V · Type (type fabricant) : IRF9Z34N · Type de FET : Canal P · Type de boîtier (semi-conducteur) : TO-263-3 · Type de montage : montage en surface · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 55 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 4 V