Infineon Technologies IRLD024PBF MOSFET 1 Canal N 1.3 W HEXDIP

MOSFET

Infineon Technologies IRLD024PBF
Type de boîtier (semi-conducteur): HEXDIP
Conditionnement: 1 pc(s)

Données techniques :
C(ISS) : 870 pF · C(ISS) Tension de référence : 25 V · Fabricant : Infineon Technologies · Fonction FET : Porte de niveau logique · I(d) : 2.5 A · Nombre de sorties : 1 · Puissance maxi : 1.3 W · Q(G) : 18 C · Q(G) Tension de référence : 5 V · R(DS)(on) : 100 mΩ · R(DS)(on) Courant de référence : 1.5 A · R(DS)(on) Tension de référence : 5 V · Sigle du fabricant (composants) : INF · Température de fonctionnement (max.) (num) : +175 °C · Température de fonctionnement (min.) (num) : -55 °C · Tension de rupture U(BR) (DSS) : 60 V · Type (type fabricant) : IRLD024PBF · Type de FET : Canal N · Type de boîtier (semi-conducteur) : HEXDIP · Type de montage : trou traversant · Type de transistor (Catégorisation) : MOSFET · U(DSS) : 60 V · U(GS)(th) Courant de référence max. : 250 µA · U(GS)(th) max. : 2 V