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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXBH12N300
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXBH12N300
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: TO247-3
Tensions collecteur-émetteur: 3kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 12A
Courant du collecteur d'impulsion: 100A
Temps de connection: 460ns
Temps d'extinction: 705ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 160W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: de haute tension
Charge d'entrée: 62nC
La technologie: FRED;BiMOSFET™
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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