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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXBK64N250
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXBK64N250
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: TO264
Tensions collecteur-émetteur: 2,5kV
Tension entrée - émetteur: ±25V
Courant du collecteur: 64A
Courant du collecteur d'impulsion: 600A
Temps de connection: 632ns
Temps d'extinction: 397ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 735W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: de haute tension
Charge d'entrée: 400nC
La technologie: FRED;BiMOSFET™
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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