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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 21A; 357W; TO268


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXBT42N170A
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXBT42N170A
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO268
Tensions collecteur-émetteur: 1,7kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 21A
Courant du collecteur d'impulsion: 265A
Temps de connection: 33ns
Temps d'extinction: 308ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 357W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: de haute tension
Charge d'entrée: 188nC
La technologie: BiMOSFET™
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1 Pièce
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à partir de 3 Pièces
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€ 34,66
par Pièce
à partir de 5 Pièces
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à partir de 10 Pièces
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€ 27,47
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à partir de 3000 Pièces
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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