Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolaire; 850V; 3,5A; Idm: 10A

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Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO263
Temps d'attente: 170ns
Tension drain-source: 850V
Courant du drain: 3,5A
Résistance en état de conduction: 2,5Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 150W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: ultra junction x-class
Charge d'entrée: 7nC
La technologie: HiPerFET™;X-Class
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 10A