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Module; transistor simple; 500V; 75A; SOT227B; vissés; Idm: 250A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXFN100N50P
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFN100N50P
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Temps d'attente: 200ns
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 75A
Résistance en état de conduction: 49mΩ
Puissance de dissipation: 1,04kW
Polarisation: unipolaire
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
Charge d'entrée: 240nC
La technologie: HiPerFET™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 250A
Autres mots de recherche: Transistor, transistor de puissance
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