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Module; transistor simple; 500V; 112A; SOT227B; vissés; Idm: 330A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXFN132N50P3
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFN132N50P3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Temps d'attente: 250ns
Tension drain-source: 500V
Courant du drain: 112A
Résistance en état de conduction: 39mΩ
Puissance de dissipation: 1,5kW
Polarisation: unipolaire
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
Charge d'entrée: 250nC
La technologie: HiPerFET™;Polar™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±40V
Courant du drain dans l'impulsion: 330A
Aperçu des conditions1
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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