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Module; transistor simple; 1kV; 27A; SOT227B; vissés; Idm: 75A; 690W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXFN32N100P
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFN32N100P
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistor de puissance
Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Temps d'attente: 300ns
Tension drain-source: 1kV
Courant du drain: 27A
Résistance en état de conduction: 0,32Ω
Puissance de dissipation: 690W
Polarisation: unipolaire
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
Charge d'entrée: 225nC
La technologie: HiPerFET™;Polar™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±40V
Courant du drain dans l'impulsion: 75A
Aperçu des conditions1
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Unité
1 Pièce
€ 44,34*
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à partir de 3 Pièces
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à partir de 5 Pièces
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à partir de 3000 Pièces
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€ 32,44
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