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Module; transistor simple; 1,1kV; 35A; SOT227B; vissés; Idm: 100A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXFN40N110Q3
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFN40N110Q3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
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Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistor de puissance
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Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Temps d'attente: 434ns
Tension drain-source: 1,1kV
Courant du drain: 35A
Résistance en état de conduction: 0,26Ω
Puissance de dissipation: 960W
Polarisation: unipolaire
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
Charge d'entrée: 300nC
La technologie: HiPerFET™;Q3-Class
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±40V
Courant du drain dans l'impulsion: 100A
Aperçu des conditions1
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à partir de 10 Pièces
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à partir de 20 Pièces
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