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Module; transistor simple; 600V; 66A; SOT227B; vissés; Idm: 240A


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXFN82N60Q3
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFN82N60Q3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
transistor de puissance
Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Temps d'attente: 300ns
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 66A
Résistance en état de conduction: 75mΩ
Puissance de dissipation: 960W
Polarisation: unipolaire
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
Charge d'entrée: 275nC
La technologie: HiPerFET™;Q3-Class
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±40V
Courant du drain dans l'impulsion: 240A
Aperçu des conditions1
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1 Pièce
€ 71,23*
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par Pièce
à partir de 3 Pièces
€ 61,90*
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par Pièce
à partir de 5 Pièces
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à partir de 10 Pièces
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par Pièce
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à partir de 3000 Pièces
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€ 54,50
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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