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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolaire; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXFY4N60P3
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXFY4N60P3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO252
Temps d'attente: 250ns
Tension drain-source: 600V
Courant du drain: 4A
Résistance en état de conduction: 2,4Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 114W
Polarisation: unipolaire
Charge d'entrée: 6,9nC
La technologie: HiPerFET™;Polar3™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 8A
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€ 1,26
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à partir de 200 Pièces
€ 0,84*
€ 1,01
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€ 0,83
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