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Transistor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXGT6N170
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXGT6N170
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO268
Tensions collecteur-émetteur: 1,7kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 3A
Courant du collecteur d'impulsion: 24A
Temps de connection: 85ns
Temps d'extinction: 0,6µs
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 75W
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: de haute tension
Charge d'entrée: 20nC
La technologie: NPT
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à partir de 10 Pièces
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