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Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXTA110N12T2
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTA110N12T2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO263
Temps d'attente: 64ns
Tension drain-source: 120V
Courant du drain: 110A
Résistance en état de conduction: 14mΩ
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 517W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: thrench gate power mosfet
Charge d'entrée: 0,12µC
Genre de canal: enrichi
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par Pièce
à partir de 10 Pièces
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par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 2,81*
€ 3,37
par Pièce
à partir de 50 Pièces
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€ 2,83
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à partir de 100 Pièces
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€ 2,78
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€ 1,93*
€ 2,32
par Pièce
* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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