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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolaire; -65V; -120A; 298W; 53ns


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXTA120P065T
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTA120P065T
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO263
Temps d'attente: 53ns
Tension drain-source: -65V
Courant du drain: -120A
Résistance en état de conduction: 10mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 298W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 185nC
La technologie: TrenchP™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±15V
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