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Module; transistor simple; 55V; 550A; SOT227B; vissés; Idm: 1,65kA


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXTN550N055T2
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTN550N055T2
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Temps d'attente: 100ns
Tension drain-source: 55V
Courant du drain: 550A
Résistance en état de conduction: 1,3mΩ
Puissance de dissipation: 940W
Polarisation: unipolaire
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: de transistor MOSFET
Charge d'entrée: 595nC
La technologie: GigaMOS™;TrenchT2™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±30V
Courant du drain dans l'impulsion: 1,65kA
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