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Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXTT50P10
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTT50P10
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
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Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO268
Temps d'attente: 180ns
Tension drain-source: -100V
Courant du drain: -50A
Résistance en état de conduction: 55mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 300W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 0,14µC
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±20V
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