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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolaire; 2kV; 6A; 960W; 520ns


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXTX6N200P3HV
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTX6N200P3HV
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
Transistors
Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: TO247PLUS-HV
Temps d'attente: 520ns
Tension drain-source: 2kV
Courant du drain: 6A
Résistance en état de conduction: 4Ω
Type de transistor: N-MOSFET
Puissance de dissipation: 960W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs: standard power mosfet
Charge d'entrée: 143nC
La technologie: Polar3™
Genre de canal: enrichi
Autres mots de recherche: Transistor, transistors de puissance
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