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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolaire; -100V; -26A; 150W; 70ns


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXTY26P10T
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXTY26P10T
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor de puissance
Transistors de puissance
MOSFET
transistor de puissance
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO252
Temps d'attente: 70ns
Tension drain-source: -100V
Courant du drain: -26A
Résistance en état de conduction: 90mΩ
Type de transistor: P-MOSFET
Puissance de dissipation: 150W
Polarisation: unipolaire
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 52nC
La technologie: TrenchP™
Genre de canal: enrichi
Tension entrée-source: ±15V
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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