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Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
N° du produit:
     8DJEB-IXXN110N65B4H1
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXXN110N65B4H1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Modules IGBT
Module IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Fabricant: IXYS
Boîtier: SOT227B
Tension inverse max.: 650V
Construction de semi-conducteur: transistor simple
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 110A
Courant du collecteur d'impulsion: 650A
Puissance de dissipation: 750W
Montage électrique: vissés
Montage mécanique: vissés
Type de module: IGBT
La technologie: XPT™;GenX4™
Autres mots de recherche: Transistors, Transistor, transistors de puissance
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à partir de 5 Pièces
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à partir de 10 Pièces
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à partir de 20 Pièces
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à partir de 3000 Pièces
€ 24,00*
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