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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 21A; 105W; TO247


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXYJ20N120C3D1
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXYJ20N120C3D1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: TO247
Tensions collecteur-émetteur: 1,2kV
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 21A
Courant du collecteur d'impulsion: 40A
Temps de connection: 20ns
Temps d'extinction: 90ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 105W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 53nC
La technologie: GenX3™;XPT™
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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