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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 7A; 53W; TO220FP


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXYP10N65C3D1M
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXYP10N65C3D1M
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistors
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Fabricant: IXYS
Montage: THT
Boîtier: TO220FP
Tensions collecteur-émetteur: 650V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 7A
Courant du collecteur d'impulsion: 50A
Temps de connection: 44ns
Temps d'extinction: 128ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 53W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 18nC
La technologie: Planar;GenX3™;XPT™
Autres mots de recherche: Transistor, transistor igbt
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