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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXYT30N65C3H1HV
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXYT30N65C3H1HV
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO268HV
Tensions collecteur-émetteur: 650V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 30A
Courant du collecteur d'impulsion: 118A
Temps de connection: 59ns
Temps d'extinction: 0,12µs
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 270W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 44nC
La technologie: Planar;Sonic FRD™;GenX3™;XPT™
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€ 11,92
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€ 10,50
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