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Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-IXYT80N90C3
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     IXYT80N90C3
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: TO268
Tensions collecteur-émetteur: 900V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 80A
Courant du collecteur d'impulsion: 360A
Temps de connection: 134ns
Temps d'extinction: 201ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 830W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 145nC
La technologie: Planar;GenX3™;XPT™
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à partir de 3 Pièces
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par Pièce
à partir de 5 Pièces
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€ 13,27
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à partir de 10 Pièces
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à partir de 20 Pièces
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à partir de 30 Pièces
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€ 9,94
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à partir de 3000 Pièces
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€ 8,62
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* Les prix accompagnés d'un astérisque sont des prix HT. La TVA en vigueur s'appliquera en sus.
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