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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 600V; 72A; 520W; SMPD


Quantité:  Pièce  
Informations sur les produits

N° du produit:
     8DJEB-MMIX1X200N60B3H1
Fabricant:
     IXYS
N°. du fabricant:
     MMIX1X200N60B3H1
EAN/GTIN:
     Pas d'information
Mots de recherche:
Transistor IGBT
Transistor de puissance
Transistors de puissance
Transistor CMS
Fabricant: IXYS
Montage: SMD
Boîtier: SMPD
Tensions collecteur-émetteur: 600V
Tension entrée - émetteur: ±20V
Courant du collecteur: 72A
Courant du collecteur d'impulsion: 1kA
Temps de connection: 140ns
Temps d'extinction: 395ns
Type de transistor: IGBT
Puissance de dissipation: 520W
Genre de la emballage: tube
Charge d'entrée: 315nC
La technologie: BiMOSFET™;GenX3™;XPT™
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par Pièce
à partir de 3 Pièces
€ 47,53*
€ 57,04
par Pièce
à partir de 5 Pièces
€ 46,12*
€ 55,34
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à partir de 10 Pièces
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€ 49,24
par Pièce
à partir de 20 Pièces
€ 37,55*
€ 45,06
par Pièce
à partir de 3000 Pièces
€ 33,28*
€ 39,94
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